Inden for elektronik og halvlederteknologi er de vigtigste fordele ved SiC:
Høj varmeledningsevne 120-270 W/mK
Lav termisk udvidelseskoefficient 4,0x10^-6/ grad
Høj maksimal strømtæthed
Kombinationen af disse tre egenskaber giver SiC overlegen elektrisk ledningsevne, især sammenlignet med silicium, SiC's mere populære fætter. SiC-materialets egenskaber gør det meget fordelagtigt til anvendelser med høj effekt, hvor der kræves høj strøm, høj temperatur og høj varmeledningsevne.
I de seneste år er SiC blevet en nøglespiller i halvlederindustrien, der driver MOSFET'er, Schottky-dioder og strømmoduler til brug i højeffekts- og højeffektive applikationer. Selvom de er dyrere end silicium MOSFET'er, som typisk er begrænset til en gennembrudsspænding på 900 V, kan SiC opnå tærskelspændinger på næsten 10 kV.
SiC har også meget lave koblingstab og kan understøtte høje driftsfrekvenser, hvilket gør det muligt at opnå effektivitet uovertruffen i dag, især i applikationer, der opererer ved spændinger på over 600 volt. Når de bruges korrekt, kan SiC--enheder reducere konverter- og invertersystemtab med næsten 50 %, --størrelse med 300 % og samlede systemomkostninger med 20 %. Denne reduktion i den samlede systemstørrelse gør SiC ekstremt anvendelig i vægt- og pladsfølsomme applikationer.